창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N5545JTXV01 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 단종/ EOL | Mil-QPL-Jfet 06/Jul/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | - | |
전압 - 항복(V(BR)GSS) | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | - | |
전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
저항 - RDS(On) | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-71-6 | |
공급 장치 패키지 | TO-71 | |
전력 - 최대 | - | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N5545JTXV01 | |
관련 링크 | 2N5545J, 2N5545JTXV01 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 3090R-332H | 3.3µH Unshielded Inductor 200mA 1.9 Ohm Max 2-SMD | 3090R-332H.pdf | |
![]() | RMCF2512FT4K70 | RES SMD 4.7K OHM 1% 1W 2512 | RMCF2512FT4K70.pdf | |
![]() | RG3216P-3303-D-T5 | RES SMD 330K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216P-3303-D-T5.pdf | |
![]() | GE4JD5J044 | GE4JD5J044 GE T R TO18 | GE4JD5J044.pdf | |
![]() | GAL22V10D-15J | GAL22V10D-15J LATTICE PLCC | GAL22V10D-15J.pdf | |
![]() | 21140-AD | 21140-AD INTEL BGA | 21140-AD.pdf | |
![]() | LC79400D | LC79400D SANYO SMD or Through Hole | LC79400D.pdf | |
![]() | 18V/1/2W | 18V/1/2W ST SMD or Through Hole | 18V/1/2W.pdf | |
![]() | MCP111-195I/TOG | MCP111-195I/TOG MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP111-195I/TOG.pdf | |
![]() | C8051T613 | C8051T613 SILICON SMD or Through Hole | C8051T613.pdf |