창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFN320N17T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFN320N17T2 | |
주요제품 | GigaMOS™ TrenchT2™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | GigaMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 170V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 260A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 640nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 45000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1070W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFN320N17T2 | |
관련 링크 | IXFN320, IXFN320N17T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | DSC1121CI2-048.0000 | 48MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121CI2-048.0000.pdf | |
![]() | ELC-12D392E | 3.9mH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 2.83 Ohm Radial | ELC-12D392E.pdf | |
![]() | G9161-160T25U | G9161-160T25U GMT SOT89-3 | G9161-160T25U.pdf | |
![]() | 12061A330JAT2 | 12061A330JAT2 KYOCERA SMD or Through Hole | 12061A330JAT2.pdf | |
![]() | MR851RL | MR851RL ONS Call | MR851RL.pdf | |
![]() | 54020-52030LF | 54020-52030LF FCI SMD or Through Hole | 54020-52030LF.pdf | |
![]() | 91601-305ALF | 91601-305ALF FCI SMD or Through Hole | 91601-305ALF.pdf | |
![]() | DS15BA101SDE/NOPBNOP | DS15BA101SDE/NOPBNOP NATIONALSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | DS15BA101SDE/NOPBNOP.pdf | |
![]() | C0402CRNPO9BN3R9 | C0402CRNPO9BN3R9 yageo SMD or Through Hole | C0402CRNPO9BN3R9.pdf | |
![]() | LAO-16V682MPDS2 | LAO-16V682MPDS2 ELNA DIP | LAO-16V682MPDS2.pdf | |
![]() | L32A | L32A ROHM 3.9mm8 | L32A.pdf |