창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N5114JAN02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 단종/ EOL | Mil-QPL-Jfet 06/Jul/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | - | |
전압 - 항복(V(BR)GSS) | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | - | |
전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
저항 - RDS(On) | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-206AA(TO-18) | |
전력 - 최대 | - | |
표준 포장 | 40 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N5114JAN02 | |
관련 링크 | 2N5114, 2N5114JAN02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | TLZ9V1A-GS08 | DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD80 | TLZ9V1A-GS08.pdf | |
RSA-5-50 | RES CHAS MNT 0.01 OHM .25% 1/4W | RSA-5-50.pdf | ||
![]() | SAR314.4MB | SAR314.4MB ORIGINAL SMD-DIP | SAR314.4MB.pdf | |
![]() | R8A66597FP#RF1S | R8A66597FP#RF1S Renesas SMD or Through Hole | R8A66597FP#RF1S.pdf | |
![]() | PTZTE-2530B | PTZTE-2530B ROHM LL-34 | PTZTE-2530B.pdf | |
![]() | 50SGV100MTMT8X10.5 | 50SGV100MTMT8X10.5 RUBYCON Call | 50SGV100MTMT8X10.5.pdf | |
![]() | KSC5060 | KSC5060 FSC TO-220 | KSC5060.pdf | |
![]() | XC2S300E-7PQ208C0813 | XC2S300E-7PQ208C0813 XILINX SMD or Through Hole | XC2S300E-7PQ208C0813.pdf | |
![]() | RD30P-T1 30V | RD30P-T1 30V NEC SOT-89 | RD30P-T1 30V.pdf | |
![]() | CSTCW22M5X51-RO | CSTCW22M5X51-RO MURATA SMD or Through Hole | CSTCW22M5X51-RO.pdf | |
![]() | 54LS253J | 54LS253J RAYTHEON DIP | 54LS253J.pdf |