창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N5114JAN02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 단종/ EOL | Mil-QPL-Jfet 06/Jul/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | - | |
전압 - 항복(V(BR)GSS) | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | - | |
전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
저항 - RDS(On) | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-206AA(TO-18) | |
전력 - 최대 | - | |
표준 포장 | 40 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N5114JAN02 | |
관련 링크 | 2N5114, 2N5114JAN02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | PE-1206CD820JTT | 82nH Unshielded Wirewound Inductor 900mA 210 mOhm Max Nonstandard | PE-1206CD820JTT.pdf | |
![]() | CRCW12102R70FNTA | RES SMD 2.7 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12102R70FNTA.pdf | |
![]() | MNR14E0APJ434 | RES ARRAY 4 RES 430K OHM 1206 | MNR14E0APJ434.pdf | |
![]() | CMF607R3200FKEK | RES 7.32 OHM 1W 1% AXIAL | CMF607R3200FKEK.pdf | |
![]() | LQG11A3N9S00T1M05-011 | LQG11A3N9S00T1M05-011 MURATA 0603-3.9NH | LQG11A3N9S00T1M05-011.pdf | |
![]() | P2262 | P2262 TI TSSOP8 | P2262.pdf | |
![]() | 2N5059A | 2N5059A MOT/HAR CAN | 2N5059A.pdf | |
![]() | H27U8G8G5DTR-BC | H27U8G8G5DTR-BC HY SMD or Through Hole | H27U8G8G5DTR-BC.pdf | |
![]() | RJA35352/75 | RJA35352/75 EVOXFA SMD or Through Hole | RJA35352/75.pdf | |
![]() | DSS310-91Y5S222M | DSS310-91Y5S222M MAXIM SMD or Through Hole | DSS310-91Y5S222M.pdf | |
![]() | 4H3736 | 4H3736 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4H3736.pdf |