창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N4338 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N4338 thru 2N4341 | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N채널 | |
| 전압 - 항복(V(BR)GSS) | 50V | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 200µA @ 15V | |
| 전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
| 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | 300mV @ 100nA | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7pF @ 15V | |
| 저항 - RDS(On) | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-206AA(TO-18) | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N4338 | |
| 관련 링크 | 2N4, 2N4338 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MCR10EZHF10R5 | RES SMD 10.5 OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF10R5.pdf | |
![]() | RT1206WRD07121KL | RES SMD 121K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRD07121KL.pdf | |
![]() | RSF3JB10R0 | RES MO 3W 10 OHM 5% AXIAL | RSF3JB10R0.pdf | |
![]() | EETUQ1C123HJ | EETUQ1C123HJ Panasoni DIP | EETUQ1C123HJ.pdf | |
![]() | ABT7819-10 | ABT7819-10 TI LQFP80 | ABT7819-10.pdf | |
![]() | MAX13086ESAD+T | MAX13086ESAD+T MAXIM SOP14 | MAX13086ESAD+T.pdf | |
![]() | Z15D681 | Z15D681 SEMITEC SMD or Through Hole | Z15D681.pdf | |
![]() | 74LVXZ161284MTX | 74LVXZ161284MTX FAI SOP-48 | 74LVXZ161284MTX.pdf | |
![]() | ST60S-SY1B-18P-PWJ2 | ST60S-SY1B-18P-PWJ2 HRS SMD or Through Hole | ST60S-SY1B-18P-PWJ2.pdf | |
![]() | 1N5342B 5W6.8V | 1N5342B 5W6.8V MSC DO-27 | 1N5342B 5W6.8V.pdf | |
![]() | NV73A2LTTE27 | NV73A2LTTE27 KOA SMD | NV73A2LTTE27.pdf | |
![]() | DSSA-P2600-SARP | DSSA-P2600-SARP MITSUBISHI SMD or Through Hole | DSSA-P2600-SARP.pdf |