창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ36D5E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 27.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ36D5E3/TR8 | |
관련 링크 | 2EZ36D5, 2EZ36D5E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | S3JB-TP | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA | S3JB-TP.pdf | |
![]() | PLT1206Z3831LBTS | RES SMD 3.83KOHM 0.01% 0.4W 1206 | PLT1206Z3831LBTS.pdf | |
![]() | DAC8531E2K5 | DAC8531E2K5 TI DAC8531E2K5 | DAC8531E2K5.pdf | |
![]() | TLV2451ID | TLV2451ID TI SOP8 | TLV2451ID.pdf | |
![]() | VR9768 | VR9768 MICROCHIP SOP28 | VR9768.pdf | |
![]() | IR3083MPBF | IR3083MPBF IR QFN | IR3083MPBF.pdf | |
![]() | MIC61150-10YML | MIC61150-10YML MIC MLF-10 | MIC61150-10YML.pdf | |
![]() | HS2210C24-044 | HS2210C24-044 NULL SOP | HS2210C24-044.pdf | |
![]() | LC78636E | LC78636E SAY QFP | LC78636E.pdf | |
![]() | TL7125F3 | TL7125F3 TI SOP-8 | TL7125F3.pdf | |
![]() | ZLW-6B | ZLW-6B MINI SMD or Through Hole | ZLW-6B.pdf | |
![]() | 2SA1727 TL P | 2SA1727 TL P ROHM SMD or Through Hole | 2SA1727 TL P.pdf |