창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ3.9DE3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 30µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2EZ3.9DE3/TR8 | |
관련 링크 | 2EZ3.9D, 2EZ3.9DE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | BAS521LP-7 | DIODE GEN PURP 325V 400MA 2DFN | BAS521LP-7.pdf | |
![]() | RJG1P5070D | RJG1P5070D DEL SMD or Through Hole | RJG1P5070D.pdf | |
![]() | 009AL3 | 009AL3 NPC SOP8 | 009AL3.pdf | |
![]() | CD33035P | CD33035P TDL DIP | CD33035P.pdf | |
![]() | SE529N | SE529N PHLIPS DIP14 | SE529N.pdf | |
![]() | SPMC02A-29B | SPMC02A-29B MSFT SOP-28 | SPMC02A-29B.pdf | |
![]() | 2SA812 M5 | 2SA812 M5 ZTJ SOT-23-3L | 2SA812 M5.pdf | |
![]() | 400CFX33M16X25 | 400CFX33M16X25 ORIGINAL SMD or Through Hole | 400CFX33M16X25.pdf | |
![]() | CSTCE10M0G55A-RO | CSTCE10M0G55A-RO ORIGINAL SMD or Through Hole | CSTCE10M0G55A-RO.pdf | |
![]() | LT3011EDD#PBF/ID/HD | LT3011EDD#PBF/ID/HD LT DFN10 | LT3011EDD#PBF/ID/HD.pdf | |
![]() | XC390250FV | XC390250FV MOTOROLA LQFP-64 | XC390250FV.pdf | |
![]() | HAIER8823-V4.0(8823CPNG4VR8) | HAIER8823-V4.0(8823CPNG4VR8) TOSHIBA DIP-64 | HAIER8823-V4.0(8823CPNG4VR8).pdf |