창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2EZ12D10E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 9.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2EZ12D10E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 2EZ12D10E, 2EZ12D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C1608X8R2A223M080AB | 0.022µF 100V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608X8R2A223M080AB.pdf | |
![]() | VJ0603D1R4CXAAP | 1.4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R4CXAAP.pdf | |
![]() | DSC1121AM2-024.5760T | 24.576MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121AM2-024.5760T.pdf | |
![]() | CFM12JT10R0 | RES 10 OHM 1/2W 5% CF MINI | CFM12JT10R0.pdf | |
![]() | HHW0805UCR56JGT | HHW0805UCR56JGT HONGHUA SMD or Through Hole | HHW0805UCR56JGT.pdf | |
![]() | ECEC2VP271DA | ECEC2VP271DA PANASONIC DIP | ECEC2VP271DA.pdf | |
![]() | SKPNABE010 | SKPNABE010 ALPS SMD or Through Hole | SKPNABE010.pdf | |
![]() | CRG1G243J | CRG1G243J ORIGINAL SMD or Through Hole | CRG1G243J.pdf | |
![]() | EP4SE820H40C3 | EP4SE820H40C3 ALTERA BGA | EP4SE820H40C3.pdf | |
![]() | 2211R-03G-LP | 2211R-03G-LP NeltronIndustrial SMD or Through Hole | 2211R-03G-LP.pdf | |
![]() | 5.120al9j | 5.120al9j WU NA | 5.120al9j.pdf | |
![]() | 241-27860-G | 241-27860-G OTHER SMD or Through Hole | 241-27860-G.pdf |