창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2222-V-RC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2200 Series | |
| 3D 모델 | 2222-V-RC.stp | |
| PCN 포장 | Label Change 30/Jun/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Bourns Inc. | |
| 계열 | 2200 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 토로이드 | |
| 소재 - 코어 | 철가루 | |
| 유도 용량 | 680µH | |
| 허용 오차 | ±15% | |
| 정격 전류 | 2.1A | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 230m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | - | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
| 주파수 - 테스트 | 1kHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사 | |
| 크기/치수 | 0.950" Dia(24.13mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.550"(13.97mm) | |
| 표준 포장 | 77 | |
| 다른 이름 | 2222VRC | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2222-V-RC | |
| 관련 링크 | 2222-, 2222-V-RC 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | CMF552K0500FHR6 | RES 2.05K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552K0500FHR6.pdf | |
![]() | GF104-350-A1 | GF104-350-A1 NVIDIA BGA | GF104-350-A1.pdf | |
![]() | SI4703DY-T1-E3 | SI4703DY-T1-E3 VISHAY SMD-8 | SI4703DY-T1-E3.pdf | |
![]() | NJM7200L33 | NJM7200L33 JRC TO-92 | NJM7200L33.pdf | |
![]() | DEC9010A | DEC9010A ORION SMD or Through Hole | DEC9010A.pdf | |
![]() | AK8870-H | AK8870-H ORIGINAL DIP | AK8870-H.pdf | |
![]() | IDT74FCT2245CTQG | IDT74FCT2245CTQG IDT SMD or Through Hole | IDT74FCT2245CTQG.pdf | |
![]() | MD82C288 | MD82C288 INTEL CDIP20 | MD82C288.pdf | |
![]() | 93LC46BT-I/SNA22 | 93LC46BT-I/SNA22 MICROCHIP SOP8 | 93LC46BT-I/SNA22.pdf | |
![]() | HN58V65AT10E | HN58V65AT10E RENESAS SMD or Through Hole | HN58V65AT10E.pdf | |
![]() | S71C915N | S71C915N SAMSUNG BGA | S71C915N.pdf | |
![]() | 1N4736(6.8v) | 1N4736(6.8v) SEMTECH 1W | 1N4736(6.8v).pdf |