창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-21FXS-RSM1-GAN-TF(B) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 21FXS-RSM1-GAN-TF(B) | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 21FXS-RSM1-GAN-TF(B) | |
관련 링크 | 21FXS-RSM1-G, 21FXS-RSM1-GAN-TF(B) 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | GRM0335C1H5R2BA01D | 5.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H5R2BA01D.pdf | |
![]() | MKP1837333013W | 0.033µF Film Capacitor 100V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.295" L x 0.295" W (7.50mm x 7.50mm) | MKP1837333013W.pdf | |
![]() | ABM11-48.000MHZ-B7G-T | 48MHz ±15ppm 수정 10pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM11-48.000MHZ-B7G-T.pdf | |
![]() | TS192F11CDT | 19.2MHz ±10ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS192F11CDT.pdf | |
![]() | ERJ-MP4PF10MU | RES SMD 0.01 OHM 1% 2W 2512 | ERJ-MP4PF10MU.pdf | |
![]() | ADR293ER-REEL | ADR293ER-REEL AD SOP-8 | ADR293ER-REEL.pdf | |
![]() | CB339GP | CB339GP CB DIP14 | CB339GP.pdf | |
![]() | M27C1001-12C6 | M27C1001-12C6 ST PLCC32 | M27C1001-12C6.pdf | |
![]() | GM600HA-28H | GM600HA-28H MIT SMD or Through Hole | GM600HA-28H.pdf | |
![]() | 66V256TI-25 | 66V256TI-25 MX SMD or Through Hole | 66V256TI-25.pdf | |
![]() | 2SK2355-ZK-E1 | 2SK2355-ZK-E1 NEC TO-263 | 2SK2355-ZK-E1.pdf | |
![]() | CIB21P470NC | CIB21P470NC SAMSUNG SMD | CIB21P470NC.pdf |