창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1SMB5919BT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1SMB59xxBT3G, SZ1SMB59xxT3G Series | |
PCN 조립/원산지 | SMB Schottky and Ultrafast Rectifiers 17/Sep/2013 Qualification Mold Compound 08/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1559 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMB | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 1SMB5919BT3GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1SMB5919BT3G | |
관련 링크 | 1SMB591, 1SMB5919BT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RC2012F5620CS | RES SMD 562 OHM 1% 1/8W 0805 | RC2012F5620CS.pdf | |
![]() | BGA736L16E6327XT | BGA736L16E6327XT infineon TSLP | BGA736L16E6327XT.pdf | |
![]() | B02PKLHDS | B02PKLHDS JST SMD or Through Hole | B02PKLHDS.pdf | |
![]() | HC574 TSSOP | HC574 TSSOP ORIGINAL SMD or Through Hole | HC574 TSSOP.pdf | |
![]() | BYW80PI-200 | BYW80PI-200 ST TO220AC | BYW80PI-200.pdf | |
![]() | HD63O1YOP/L90 | HD63O1YOP/L90 HITASHI DIP64 | HD63O1YOP/L90.pdf | |
![]() | CL43C470KJNE 1812-47P 3KV | CL43C470KJNE 1812-47P 3KV SAMSUNG SMD or Through Hole | CL43C470KJNE 1812-47P 3KV.pdf | |
![]() | NCV8605MN28T2G | NCV8605MN28T2G ON SMD or Through Hole | NCV8605MN28T2G.pdf | |
![]() | TEA5767HN/V1 | TEA5767HN/V1 PHILIPS QFN | TEA5767HN/V1.pdf | |
![]() | MBUS-2W405-2W | MBUS-2W405-2W DANUBE SIP4 | MBUS-2W405-2W.pdf |