창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1PMT4119CE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1PMT46,40,41xxE3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWERMITE® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 28V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 21.28V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | DO-216 | |
표준 포장 | 12,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1PMT4119CE3/TR13 | |
관련 링크 | 1PMT4119C, 1PMT4119CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RLP73M1JR091FTDF | RES SMD 0.091 OHM 1% 1/8W 0603 | RLP73M1JR091FTDF.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 3DB N6 | RF Attenuator 3dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 3DB N6.pdf | |
![]() | DS10105-050 | DS10105-050 DALLAS SMD | DS10105-050.pdf | |
![]() | EC13.33000M | EC13.33000M ECL OSC | EC13.33000M.pdf | |
![]() | LFSN30N15C3535B | LFSN30N15C3535B MURATA 3535MHZ | LFSN30N15C3535B.pdf | |
![]() | STD4N20-1 | STD4N20-1 SGSTHOMSON SMD or Through Hole | STD4N20-1.pdf | |
![]() | ET40992 | ET40992 ELCAP DIP | ET40992.pdf | |
![]() | M55302/62LA36S | M55302/62LA36S HUGHES SMD or Through Hole | M55302/62LA36S.pdf | |
![]() | LXF25VB82RM6X11FTX | LXF25VB82RM6X11FTX NIPPON SMD or Through Hole | LXF25VB82RM6X11FTX.pdf | |
![]() | G3VM-401E(TR) | G3VM-401E(TR) OMRON SMD or Through Hole | G3VM-401E(TR).pdf | |
![]() | TCMU30312PTT(8MHz) | TCMU30312PTT(8MHz) ORIGINAL SMD or Through Hole | TCMU30312PTT(8MHz).pdf | |
![]() | LH105H/883C | LH105H/883C NS CAN8 | LH105H/883C.pdf |