창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N734A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 68V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 200옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N734A | |
| 관련 링크 | 1N7, 1N734A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CGA3E3X7R1V224M080AE | 0.22µF 35V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E3X7R1V224M080AE.pdf | |
| GBL10-E3/45 | DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL | GBL10-E3/45.pdf | ||
![]() | CMF55232K00BEEA | RES 232K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55232K00BEEA.pdf | |
![]() | GR10RM025T1B1X0511V00 | GR10RM025T1B1X0511V00 ENWELECTRONICSLTD SMD or Through Hole | GR10RM025T1B1X0511V00.pdf | |
![]() | M58685AP | M58685AP ORIGINAL SMD or Through Hole | M58685AP.pdf | |
![]() | TCM61089 | TCM61089 TI DIP | TCM61089.pdf | |
![]() | THS8133BCPGP | THS8133BCPGP TIS Call | THS8133BCPGP.pdf | |
![]() | AIC1550PO | AIC1550PO AIC MSOP8 | AIC1550PO.pdf | |
![]() | SAF280ME15N | SAF280ME15N MURATA SMD or Through Hole | SAF280ME15N.pdf | |
![]() | ECWH20113JVB | ECWH20113JVB PANASONIC DIP | ECWH20113JVB.pdf | |
![]() | H11BD6X.5422 | H11BD6X.5422 QTC SMD or Through Hole | H11BD6X.5422.pdf |