창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N712A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N712A | |
| 관련 링크 | 1N7, 1N712A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CL10C182JB8NNND | 1800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C182JB8NNND.pdf | |
| VLZ12B-GS08 | DIODE ZENER 11.75V 500MW SOD80 | VLZ12B-GS08.pdf | ||
![]() | 8532R-16K | 18µH Unshielded Inductor 2.84A 44 mOhm Max 2-SMD | 8532R-16K.pdf | |
![]() | THS10500RJ | RES CHAS MNT 500 OHM 5% 10W | THS10500RJ.pdf | |
![]() | AE3080 | AE3080 FAIRCHILD SOP | AE3080.pdf | |
![]() | LE82GM965(SLA5T) | LE82GM965(SLA5T) INTEL BGA | LE82GM965(SLA5T).pdf | |
![]() | DN486 | DN486 ORIGINAL CAN6 | DN486.pdf | |
![]() | IRFMG50 | IRFMG50 ORIGINAL SMD or Through Hole | IRFMG50.pdf | |
![]() | 29LV800BTC-55 | 29LV800BTC-55 ORIGINAL SMD or Through Hole | 29LV800BTC-55.pdf | |
![]() | 121K3KV | 121K3KV ORIGINAL SMD or Through Hole | 121K3KV.pdf | |
![]() | MV64660-AO-BGI C200 | MV64660-AO-BGI C200 MARVELL BGA | MV64660-AO-BGI C200.pdf | |
![]() | P16-Q-B | P16-Q-B hoowell SMD or Through Hole | P16-Q-B.pdf |