창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6028B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1250옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 114V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6028B | |
관련 링크 | 1N60, 1N6028B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | SL1011A145A | GDT 145V 5KA THROUGH HOLE | SL1011A145A.pdf | |
![]() | 416F30013ILT | 30MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30013ILT.pdf | |
![]() | 2222 048 31102 | 2222 048 31102 VISHAY/BC DIP-2 | 2222 048 31102.pdf | |
![]() | AT89F64 | AT89F64 ATMEL DIP40 | AT89F64.pdf | |
![]() | NAND512W3A2BN6 64M | NAND512W3A2BN6 64M ST TSSOP-48 | NAND512W3A2BN6 64M.pdf | |
![]() | BSM200GB123DN2 | BSM200GB123DN2 EUPEC SMD or Through Hole | BSM200GB123DN2.pdf | |
![]() | R60IF3220AA6M | R60IF3220AA6M KEMET SMD or Through Hole | R60IF3220AA6M.pdf | |
![]() | E01A38CB | E01A38CB RENESAS QFP | E01A38CB.pdf | |
![]() | FPS160R-AP-H | FPS160R-AP-H ST SMD or Through Hole | FPS160R-AP-H.pdf | |
![]() | SN65ALS1176DR(6A1176) | SN65ALS1176DR(6A1176) TI SOP8 | SN65ALS1176DR(6A1176).pdf |