창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N6022D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
허용 오차 | ±1% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 280옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 62V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N6022D | |
관련 링크 | 1N60, 1N6022D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
450HXC120MEFCSN30X25 | 120µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C | 450HXC120MEFCSN30X25.pdf | ||
GL250F33CET | 25MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL250F33CET.pdf | ||
RT0805CRD07442RL | RES SMD 442 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD07442RL.pdf | ||
CGA4C2C0G1H101JT | CGA4C2C0G1H101JT TDK SMD | CGA4C2C0G1H101JT.pdf | ||
PST38152RL/R | PST38152RL/R MIT QFN | PST38152RL/R.pdf | ||
IR5001CTRPBF | IR5001CTRPBF IOR SOP-8 | IR5001CTRPBF.pdf | ||
06031R2 | 06031R2 kyocera SMD or Through Hole | 06031R2.pdf | ||
GRF2I-LP0210 | GRF2I-LP0210 SIRF SMD or Through Hole | GRF2I-LP0210.pdf | ||
G823 | G823 AD DIP | G823.pdf | ||
TP3056 | TP3056 ORIGINAL DIP | TP3056.pdf | ||
S4NP100 | S4NP100 ST SOP-8 | S4NP100.pdf | ||
90-49 | 90-49 COILCRAFT SMD or Through Hole | 90-49.pdf |