창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N6013C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5985-1N6031-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 27V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N6013C | |
| 관련 링크 | 1N60, 1N6013C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | ABM10AIG-48.000MHZ-D2Z-T3 | 48MHz ±20ppm 수정 10pF 40옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM10AIG-48.000MHZ-D2Z-T3.pdf | |
![]() | MBR8045 | DIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5 | MBR8045.pdf | |
![]() | AL1201 | AL1201 ALESIS SMD or Through Hole | AL1201.pdf | |
![]() | CLL5223B | CLL5223B CENTRAL SMD or Through Hole | CLL5223B.pdf | |
![]() | VICOR27799 | VICOR27799 N/A QFN | VICOR27799.pdf | |
![]() | MVA10VC47ME55 | MVA10VC47ME55 NICHICHEM SMD or Through Hole | MVA10VC47ME55.pdf | |
![]() | PZU16B3A,115 | PZU16B3A,115 NXP SOD323 | PZU16B3A,115.pdf | |
![]() | IL440-4-X017T | IL440-4-X017T VishaySemicond SOP | IL440-4-X017T.pdf | |
![]() | MT6824B2 | MT6824B2 MT SOP | MT6824B2.pdf | |
![]() | PHD34NQ10T118**CH-ART | PHD34NQ10T118**CH-ART NXP SMD or Through Hole | PHD34NQ10T118**CH-ART.pdf | |
![]() | BESM18MI-NSC50B-BV03 | BESM18MI-NSC50B-BV03 BALLUFF PROXIMITYSWITCHM18 | BESM18MI-NSC50B-BV03.pdf | |
![]() | LTC1248IS | LTC1248IS LINEAR SOP | LTC1248IS.pdf |