창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5936BUR-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N59xxBUR-1 (aka CDLL9513-56) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 28옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 22.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AB, MELF | |
공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5936BUR-1 | |
관련 링크 | 1N5936, 1N5936BUR-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 5-1879063-8 | 0.15µF Molded Tantalum Capacitors 50V 1411 (3528 Metric) 10 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | 5-1879063-8.pdf | |
![]() | SIT8008BI-73-18E-42.077880E | OSC XO 1.8V 42.07788MHZ OE | SIT8008BI-73-18E-42.077880E.pdf | |
![]() | Y17463K83000F0R | RES SMD 3.83K OHM 1% 0.6W J LEAD | Y17463K83000F0R.pdf | |
![]() | 35RA60 | 35RA60 IR SMD or Through Hole | 35RA60.pdf | |
![]() | C2012Y5V1C4 | C2012Y5V1C4 TDK SMD or Through Hole | C2012Y5V1C4.pdf | |
![]() | TC74VHC367FT(EL) | TC74VHC367FT(EL) TOS SSOP16 | TC74VHC367FT(EL).pdf | |
![]() | RCXY6769 | RCXY6769 RC SMD or Through Hole | RCXY6769.pdf | |
![]() | CY7C199L15PC | CY7C199L15PC CYP DIP | CY7C199L15PC.pdf | |
![]() | 462389-000 | 462389-000 EPCOS VQFP100 | 462389-000.pdf | |
![]() | TDA9381PS/N2/1I1477 | TDA9381PS/N2/1I1477 PHI DIP-64 | TDA9381PS/N2/1I1477.pdf | |
![]() | DAC714U.. | DAC714U.. TI/BB SOIC-16 | DAC714U...pdf | |
![]() | RTE1010N | RTE1010N ITT SMD or Through Hole | RTE1010N.pdf |