창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5919APE3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5919APE3/TR8 | |
관련 링크 | 1N5919AP, 1N5919APE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | AISC-1210H-3R9N-T | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 1A 222 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | AISC-1210H-3R9N-T.pdf | |
![]() | TNPW1206357KBEEN | RES SMD 357K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206357KBEEN.pdf | |
![]() | 47CAG | 47CAG EPCOS TSSOP-10 | 47CAG.pdf | |
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![]() | D651 | D651 NEC TO-66 | D651.pdf | |
![]() | 0402 0603 0805 1206 474M 50V 25V 16V | 0402 0603 0805 1206 474M 50V 25V 16V ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402 0603 0805 1206 474M 50V 25V 16V.pdf | |
![]() | STP25NM60N STM 2500 | STP25NM60N STM 2500 ORIGINAL SMD or Through Hole | STP25NM60N STM 2500.pdf | |
![]() | TDA8501/N1 | TDA8501/N1 NXP/PH SMD or Through Hole | TDA8501/N1.pdf | |
![]() | 50V103M500N | 50V103M500N ORIGINAL SMD or Through Hole | 50V103M500N.pdf | |
![]() | ATPI04033R3MTA | ATPI04033R3MTA NA SMD or Through Hole | ATPI04033R3MTA.pdf | |
![]() | BT12-600B | BT12-600B ST TO-220 | BT12-600B.pdf |