창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTD6P10E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | NTD6P10E | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO-252 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | NTD6P10E | |
| 관련 링크 | NTD6, NTD6P10E 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CDV19FF221JO3F | 220pF Mica Capacitor 1000V (1kV) Radial 0.642" L x 0.189" W (16.30mm x 4.80mm) | CDV19FF221JO3F.pdf | |
![]() | ERA-3AEB4420V | RES SMD 442 OHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB4420V.pdf | |
![]() | MAX2016ETI+T | RF Detector IC Cellular, GSM, EDGE, CDMA 30kHz ~ 2.5GHz -70dBm ~ 10dBm ±1dB 28-WFQFN Exposed Pad | MAX2016ETI+T.pdf | |
![]() | PF04110 | PF04110 HITACHI QFN | PF04110.pdf | |
![]() | HV5606 | HV5606 HV PLCC44 | HV5606.pdf | |
![]() | R413I2330DQM1K | R413I2330DQM1K KEMET SMD or Through Hole | R413I2330DQM1K.pdf | |
![]() | SPB80N03S2L-06 G | SPB80N03S2L-06 G Infineon TO-263 | SPB80N03S2L-06 G.pdf | |
![]() | MCB1608H600HB | MCB1608H600HB INPAQ SMD | MCB1608H600HB.pdf | |
![]() | FQD1216ME/IH-591 | FQD1216ME/IH-591 NXP SOTSG1 | FQD1216ME/IH-591.pdf | |
![]() | 0603N681F101LT | 0603N681F101LT WAN SMD | 0603N681F101LT.pdf | |
![]() | EG80C188XL25 | EG80C188XL25 INTEL SMD or Through Hole | EG80C188XL25.pdf | |
![]() | HRW0703ATR-E | HRW0703ATR-E RENESAS SOT23-3 | HRW0703ATR-E.pdf |