창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5820G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5820-5822 | |
카탈로그 페이지 | 1562 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 475mV @ 3A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2mA @ 20V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-201AA, DO-27, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | DO-201AD | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 125°C | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 1N5820G-ND 1N5820GOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5820G | |
관련 링크 | 1N58, 1N5820G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | TV06B850J-G | TVS DIODE 85VWM 137VC SMB | TV06B850J-G.pdf | |
![]() | SI1302DL-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3 | SI1302DL-T1-E3.pdf | |
![]() | AF2010JK-072KL | RES SMD 2K OHM 5% 3/4W 2010 | AF2010JK-072KL.pdf | |
![]() | LVC25FR750EV | RES SMD 0.75 OHM 1% 1W 2512 | LVC25FR750EV.pdf | |
![]() | 3P9434DZZ-SOB4 | 3P9434DZZ-SOB4 SAMSUNG SOP32 | 3P9434DZZ-SOB4.pdf | |
![]() | TEESVJOJ106MLE8R | TEESVJOJ106MLE8R NEC SMD or Through Hole | TEESVJOJ106MLE8R.pdf | |
![]() | ROS-2500 | ROS-2500 MINI SMD or Through Hole | ROS-2500.pdf | |
![]() | 229K01-1R1 | 229K01-1R1 ATMEL QFN | 229K01-1R1.pdf | |
![]() | LTD-432G | LTD-432G LITEON SMD or Through Hole | LTD-432G.pdf | |
![]() | B1093NL | B1093NL ORIGINAL SMD or Through Hole | B1093NL.pdf | |
![]() | PPC860PZP66E0 | PPC860PZP66E0 Freescal BGA | PPC860PZP66E0.pdf | |
![]() | LQW1608AR22G00T1M00 | LQW1608AR22G00T1M00 MURATA SMD or Through Hole | LQW1608AR22G00T1M00.pdf |