창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5387B/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 190V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 450옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 137V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5387B/TR12 | |
관련 링크 | 1N5387B, 1N5387B/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 1N6310 | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 | 1N6310.pdf | |
![]() | IRF9333TRPBF | MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC | IRF9333TRPBF.pdf | |
![]() | GD-3 | DETECTOR INDUCTIVE HEAD 10MM | GD-3.pdf | |
![]() | ISL28291FRUZ-T7 | ISL28291FRUZ-T7 Intersil NA | ISL28291FRUZ-T7.pdf | |
![]() | AGXD466AAXD0TD | AGXD466AAXD0TD AMD ORIGINAL | AGXD466AAXD0TD.pdf | |
![]() | SABC501G1RN-ICU1125B | SABC501G1RN-ICU1125B SIEMENS PLCC | SABC501G1RN-ICU1125B.pdf | |
![]() | 72V265LA15PFI | 72V265LA15PFI IDT SMD or Through Hole | 72V265LA15PFI.pdf | |
![]() | NCP348MTTXG | NCP348MTTXG ON SMD or Through Hole | NCP348MTTXG.pdf | |
![]() | MCD95-168IO8B | MCD95-168IO8B IXYS MOKUAI | MCD95-168IO8B.pdf | |
![]() | OCM112F | OCM112F OKI DIPSOP | OCM112F.pdf | |
![]() | 1826-1594 | 1826-1594 NS SMD-8 | 1826-1594.pdf | |
![]() | TC7135CBQ | TC7135CBQ TC QFP44 | TC7135CBQ.pdf |