창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5369CE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 27옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 36.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5369CE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5369CE, 1N5369CE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 445C33F25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 24pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C33F25M00000.pdf | |
![]() | SIT8008AC-31-33E-8.000000T | OSC XO 3.3V 8MHZ OE | SIT8008AC-31-33E-8.000000T.pdf | |
![]() | TMBAT49FILM | DIODE SCHOTTKY 80V 500MA MELF | TMBAT49FILM.pdf | |
![]() | 2450RCH82000051 | AUTO RESET THERMOSTAT | 2450RCH82000051.pdf | |
![]() | 5900-BK | 5900-BK ANDERSON SMD or Through Hole | 5900-BK.pdf | |
![]() | 7955PT6/2 | 7955PT6/2 HIFN QFP | 7955PT6/2.pdf | |
![]() | NE22 | NE22 IR TO220 | NE22.pdf | |
![]() | DAS001/KJL | DAS001/KJL ST SOP-8P | DAS001/KJL.pdf | |
![]() | STi5518BVB-ES | STi5518BVB-ES ST QFP208 | STi5518BVB-ES.pdf | |
![]() | FQI27P06TU | FQI27P06TU FAIRCHILD TO-262 | FQI27P06TU.pdf | |
![]() | HZS18NB2TD | HZS18NB2TD ORIGINAL SMD or Through Hole | HZS18NB2TD.pdf | |
![]() | DSS 807 | DSS 807 FUJISOKU SMD or Through Hole | DSS 807.pdf |