창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5367B-TP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5338B-1N5388B | |
제품 교육 모듈 | Diode Handling and Mounting | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Micro Commercial Co | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 32.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AC, DO-15, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | DO-15 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 1N5367BTPMSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5367B-TP | |
관련 링크 | 1N5367, 1N5367B-TP 데이터 시트, Micro Commercial Co 에이전트 유통 |
![]() | ES3G-M3/9AT | DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB | ES3G-M3/9AT.pdf | |
![]() | RT1206BRC07549RL | RES SMD 549 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRC07549RL.pdf | |
![]() | TP32WS83565X700 | TP32WS83565X700 APEM SMD or Through Hole | TP32WS83565X700.pdf | |
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![]() | B3F-5100 | B3F-5100 OMRON SMD or Through Hole | B3F-5100.pdf | |
![]() | 100YXA22M6.3x11 | 100YXA22M6.3x11 Rubycon DIP | 100YXA22M6.3x11.pdf | |
![]() | MC68SEC000CFU100 | MC68SEC000CFU100 ORIGINAL QFP | MC68SEC000CFU100.pdf | |
![]() | SS110H | SS110H ZOEIW SMA | SS110H.pdf | |
![]() | DCR255T620R | DCR255T620R DUBILIER ORIGINAL | DCR255T620R.pdf | |
![]() | K4F660412C-TC50 | K4F660412C-TC50 SAMSUNG TSOP | K4F660412C-TC50.pdf | |
![]() | AS2536 | AS2536 AMS SOP28 | AS2536.pdf | |
![]() | XLBXDF0055-MSP-DIP430G2xx3_B_V1.01-20P | XLBXDF0055-MSP-DIP430G2xx3_B_V1.01-20P ORIGINAL SMD or Through Hole | XLBXDF0055-MSP-DIP430G2xx3_B_V1.01-20P.pdf |