창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5365E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 11옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 25.9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5365E3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5365E, 1N5365E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | DZN-2R5D475T | 4.7F Supercap 2.5V Radial, Can 30 mOhm @ 1kHz 1000 Hrs @ 70°C 0.492" Dia (12.50mm) | DZN-2R5D475T.pdf | |
![]() | TPSD227M010S0150 | 220µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 150 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TPSD227M010S0150.pdf | |
![]() | SIT1602BC-31-33E-25.000000T | OSC XO 3.3V 25MHZ OE | SIT1602BC-31-33E-25.000000T.pdf | |
![]() | 32331C | 330µH Unshielded Toroidal Inductor 780mA 215 mOhm Max Radial | 32331C.pdf | |
![]() | CW0104R750JE73 | RES 4.75 OHM 13W 5% AXIAL | CW0104R750JE73.pdf | |
![]() | BIT1611B-DB | BIT1611B-DB BITEK SMD or Through Hole | BIT1611B-DB.pdf | |
![]() | MRF581T | MRF581T Microsemi SMD or Through Hole | MRF581T.pdf | |
![]() | 650L150FT25T | 650L150FT25T ORIGINAL SMD or Through Hole | 650L150FT25T.pdf | |
![]() | 40.32MHZ | 40.32MHZ KDS 2X6 | 40.32MHZ.pdf | |
![]() | MIC49150-1.2YMM TR | MIC49150-1.2YMM TR Micrel SMD or Through Hole | MIC49150-1.2YMM TR.pdf | |
![]() | F828674 | F828674 NCR DIP40 | F828674.pdf | |
![]() | SZ1005G600T | SZ1005G600T ORIGINAL SMD or Through Hole | SZ1005G600T.pdf |