창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5353B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 11.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1N5353BMSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5353B | |
| 관련 링크 | 1N53, 1N5353B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MHQ0603P1N9BT000 | 1.9nH Unshielded Multilayer Inductor 700mA 120 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MHQ0603P1N9BT000.pdf | |
![]() | RG1608N-4530-W-T1 | RES SMD 453 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608N-4530-W-T1.pdf | |
![]() | CRCW0805182KFKEB | RES SMD 182K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805182KFKEB.pdf | |
![]() | AEM-R03 | AEM-R03 ORIGINAL SMD or Through Hole | AEM-R03.pdf | |
![]() | STK672-080-SL | STK672-080-SL SANYO HYB | STK672-080-SL.pdf | |
![]() | MDSP1610F13E-030-DB | MDSP1610F13E-030-DB MC SMD or Through Hole | MDSP1610F13E-030-DB.pdf | |
![]() | LP3985IM5-3.5 | LP3985IM5-3.5 NS SOT25 | LP3985IM5-3.5.pdf | |
![]() | THS126 | THS126 TOSHIBA SIP-4 | THS126.pdf | |
![]() | 5W54 | 5W54 TOSHIBA SOP-8 | 5W54.pdf | |
![]() | SE371C7A7FZT | SE371C7A7FZT ORIGINAL PLCC | SE371C7A7FZT.pdf | |
![]() | BQ27500EVM-TI | BQ27500EVM-TI ORIGINAL SMD or Through Hole | BQ27500EVM-TI.pdf | |
![]() | 74LVCR16245ADGGR | 74LVCR16245ADGGR TI TSSOP48 | 74LVCR16245ADGGR.pdf |