창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5279B TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5279B - 1N5281B | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Declaration of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Central Semiconductor Corp | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 180V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2200옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 137V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | Q8702855 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5279B TR | |
관련 링크 | 1N5279, 1N5279B TR 데이터 시트, Central Semiconductor Corp 에이전트 유통 |
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![]() | 1825AA221ZAT1A | 220pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825AA221ZAT1A.pdf | |
![]() | SPW52N50C3 | MOSFET N-CH 560V 52A TO-247 | SPW52N50C3.pdf | |
![]() | RP73D2A287RBTDF | RES SMD 287 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A287RBTDF.pdf | |
![]() | ERX-1SJ3R9A | RES 3.9 OHM 1W 5% AXIAL | ERX-1SJ3R9A.pdf | |
![]() | RNF14FTC82K5 | RES 82.5K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC82K5.pdf | |
![]() | AM27C128-150PC | AM27C128-150PC AMD DIP | AM27C128-150PC.pdf | |
![]() | GBP64-AB33BES | GBP64-AB33BES PLX BGA | GBP64-AB33BES.pdf | |
![]() | MB1504PF-E1# | MB1504PF-E1# FUJITSU SMD or Through Hole | MB1504PF-E1#.pdf | |
![]() | 13143 | 13143 CSR BGA | 13143.pdf | |
![]() | L1A6569/DDM1 | L1A6569/DDM1 LSILOGIC QFP | L1A6569/DDM1.pdf | |
![]() | E10QS06-TE12R / L2 | E10QS06-TE12R / L2 Toshiba SMD or Through Hole | E10QS06-TE12R / L2.pdf |