창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5235BDO35 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1N5235B(DO-35)MSTR 1N5235BDO35MSTR 1N5235BDO35MSTR-ND 1N5235BMSTR 1N5235BMSTR-ND 1N5235DO35 1N5235DO35MSTR 1N5235DO35MSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5235BDO35 | |
관련 링크 | 1N5235, 1N5235BDO35 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | DTB12A60 | DTB12A60 DNI TO-220 | DTB12A60.pdf | |
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![]() | 221-482J | 221-482J SONY DIP | 221-482J.pdf | |
![]() | RC0805DR-07200K | RC0805DR-07200K YAGEO SMD | RC0805DR-07200K.pdf | |
![]() | KCE1N6391 | KCE1N6391 MICROSEMI SMD | KCE1N6391.pdf |