창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5229DO35E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 22옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 1N5229DO35E3MSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5229DO35E3 | |
| 관련 링크 | 1N5229D, 1N5229DO35E3 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| RNE0J271MDS1JT | 270µF 6.3V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 12 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | RNE0J271MDS1JT.pdf | ||
![]() | SM6T42AY | TVS DIODE 36VWM 76VC SMB | SM6T42AY.pdf | |
![]() | CMF5513M000JNEA | RES 13M OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF5513M000JNEA.pdf | |
![]() | 800/256 | 800/256 INTEL BGA | 800/256.pdf | |
![]() | 1AB014060004 | 1AB014060004 VISHAY SMD or Through Hole | 1AB014060004.pdf | |
![]() | 2SK1717 T100R | 2SK1717 T100R ROHM SOT-89 | 2SK1717 T100R.pdf | |
![]() | MN41C4256SJ-08 | MN41C4256SJ-08 PANASONIC SOJ5 | MN41C4256SJ-08.pdf | |
![]() | H5MS2G22MFR-EB | H5MS2G22MFR-EB HYNIX BGA | H5MS2G22MFR-EB.pdf | |
![]() | B9920G | B9920G ORIGINAL SMD14 | B9920G.pdf | |
![]() | SAF1005 | SAF1005 ORIGINAL TO-3 | SAF1005.pdf | |
![]() | HM5116100AJ-7 | HM5116100AJ-7 HITACHI SMD or Through Hole | HM5116100AJ-7.pdf | |
![]() | GJM0332C1E4R0WB01D | GJM0332C1E4R0WB01D MURATA SMD or Through Hole | GJM0332C1E4R0WB01D.pdf |