창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4970US | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xxUS, 59xxUS, 66xxUS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 25.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | E-MELF | |
| 공급 장치 패키지 | D-5B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4970US | |
| 관련 링크 | 1N49, 1N4970US 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | RE1206FRE0730R1L | RES SMD 30.1 OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE0730R1L.pdf | |
![]() | 280-103 | 280-103 AVX SMD or Through Hole | 280-103.pdf | |
![]() | 2SC2027 | 2SC2027 HIT TO-3 | 2SC2027.pdf | |
![]() | JAAAJ835 | JAAAJ835 LT QFN | JAAAJ835.pdf | |
![]() | EP20K200CF484 | EP20K200CF484 ALTERA SMD or Through Hole | EP20K200CF484.pdf | |
![]() | MAX104C/D | MAX104C/D MAXIM SMD or Through Hole | MAX104C/D.pdf | |
![]() | NZ48F4000LOYBQO | NZ48F4000LOYBQO INTEL BGA | NZ48F4000LOYBQO.pdf | |
![]() | SDA5525A-039 | SDA5525A-039 MICRONAS DIP52 | SDA5525A-039.pdf | |
![]() | BZX384-C6V8 TEL:82766440 | BZX384-C6V8 TEL:82766440 PHI SMD or Through Hole | BZX384-C6V8 TEL:82766440.pdf | |
![]() | HI1869V | HI1869V SAUND QFP | HI1869V.pdf | |
![]() | SIS681 | SIS681 ORIGINAL SMD or Through Hole | SIS681.pdf | |
![]() | K4S161622D-TI70 | K4S161622D-TI70 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S161622D-TI70.pdf |