창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4963 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N49xx,59xx,66xx | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 12.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | E, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4963 | |
| 관련 링크 | 1N4, 1N4963 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | TPD6E05U06RVZR | TVS DIODE 5.5VWM 14VC 14UQFN | TPD6E05U06RVZR.pdf | |
![]() | DSC1122BI5-300.0000 | 300MHz LVPECL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 58mA Enable/Disable | DSC1122BI5-300.0000.pdf | |
![]() | SC62CB-150 | 15µH Shielded Inductor 1.46A 120 mOhm Max Nonstandard | SC62CB-150.pdf | |
![]() | CMF55270R00JKR6 | RES 270 OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF55270R00JKR6.pdf | |
![]() | CAT3200HV2G-T3 | CAT3200HV2G-T3 CATALYST DFN8 | CAT3200HV2G-T3.pdf | |
![]() | URZ1C102MHH1TD | URZ1C102MHH1TD NICHICON SMD or Through Hole | URZ1C102MHH1TD.pdf | |
![]() | 54FCT373LMQB/883QS | 54FCT373LMQB/883QS NS PLCC | 54FCT373LMQB/883QS.pdf | |
![]() | FMD6S-T | FMD6S-T RECTRON SOP-4 | FMD6S-T.pdf | |
![]() | ASHPCIEUP | ASHPCIEUP Intel SMD or Through Hole | ASHPCIEUP.pdf | |
![]() | LT3823CUH | LT3823CUH LT QFN-32P | LT3823CUH.pdf | |
![]() | RN1131 | RN1131 TOSHIBA VESM | RN1131.pdf | |
![]() | D5330F | D5330F SILICORE SMD or Through Hole | D5330F.pdf |