창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4767A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4765-1N4774A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 350옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 100°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4767A | |
| 관련 링크 | 1N47, 1N4767A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | WW1FT2R80 | RES 2.8 OHM 1W 1% AXIAL | WW1FT2R80.pdf | |
![]() | AT21B271JBN | AT21B271JBN ATAX 2012 | AT21B271JBN.pdf | |
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![]() | H05-FCK | H05-FCK ACT SOP-28 | H05-FCK.pdf | |
![]() | BR93H56RF | BR93H56RF TOSHIBA SMD or Through Hole | BR93H56RF.pdf | |
![]() | EDE5116AJBG-8E-E-T | EDE5116AJBG-8E-E-T Eplida SMD or Through Hole | EDE5116AJBG-8E-E-T.pdf | |
![]() | FEB4266TV12 | FEB4266TV12 INFINEON SOP20 | FEB4266TV12.pdf | |
![]() | UDZS5.6B/C2 | UDZS5.6B/C2 ROHM SOD-323 | UDZS5.6B/C2.pdf | |
![]() | TS130D-1 | TS130D-1 MORNSUN DIP | TS130D-1.pdf |