창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4750A G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728(A,C,D)G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 35옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 20.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4750A G | |
관련 링크 | 1N475, 1N4750A G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
EKZM350ELL470ME11D | 47µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | EKZM350ELL470ME11D.pdf | ||
SIT8008AC-12-33E-48.000000D | OSC XO 3.3V 48MHZ OE | SIT8008AC-12-33E-48.000000D.pdf | ||
ASG-C-X-A-200.000MHZ-T | 200MHz LVCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 45mA Enable/Disable | ASG-C-X-A-200.000MHZ-T.pdf | ||
SS2P3HM3/85A | DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO220AA | SS2P3HM3/85A.pdf | ||
ERJ-P6WF7503V | RES SMD 750K OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF7503V.pdf | ||
Y00892K49000BR1R | RES 2.49K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00892K49000BR1R.pdf | ||
S1T8602B01-D0B0 | S1T8602B01-D0B0 SAMSUNG DIP8 | S1T8602B01-D0B0.pdf | ||
SM6702-30HB1-EL | SM6702-30HB1-EL SIPEX SOT-89 | SM6702-30HB1-EL.pdf | ||
433196 | 433196 ERNI ORIGINAL | 433196.pdf | ||
RC061/4W33J | RC061/4W33J YAG RES | RC061/4W33J.pdf | ||
NG82925PPS | NG82925PPS INTEL BGA | NG82925PPS.pdf | ||
CD7358GS(NEW) | CD7358GS(NEW) ORIGINAL SIP-9 | CD7358GS(NEW).pdf |