창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4747AP/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4728AP thru 1N4764AP Plastic | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 22옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 15.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 1N4747A P 1N4747ADO35 1N4747ADO35MSTR 1N4747ADO35MSTR-ND 1N4747ADO41 1N4747ADO41MSTR 1N4747ADO41MSTR-ND 1N4747AMSTR 1N4747AMSTR-ND 1N4747AP 1N4747APMSTR 1N4747APMSTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4747AP/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N4747A, 1N4747AP/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 12OEFMA20 | FUSE 12KV 20A 2.5" OIL | 12OEFMA20.pdf | |
![]() | 416F24012ILR | 24MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24012ILR.pdf | |
![]() | FDS8882 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | FDS8882.pdf | |
![]() | Y11721K49000T0R | RES SMD 1.49K OHM 1/10W 0805 | Y11721K49000T0R.pdf | |
![]() | CPCC10500R0JB32 | RES 500 OHM 10W 5% RADIAL | CPCC10500R0JB32.pdf | |
![]() | 322522-3.9UH | 322522-3.9UH N/A SOT | 322522-3.9UH.pdf | |
![]() | LP2992AIM5-1.5 TEL:82766440 | LP2992AIM5-1.5 TEL:82766440 NS SMD or Through Hole | LP2992AIM5-1.5 TEL:82766440.pdf | |
![]() | PRN2113 | PRN2113 CMD SMD or Through Hole | PRN2113.pdf | |
![]() | LT1962EMS833TRPBF | LT1962EMS833TRPBF LT TSSOP | LT1962EMS833TRPBF.pdf | |
![]() | N760080BFKC004 | N760080BFKC004 MOT QFP-64 | N760080BFKC004.pdf | |
![]() | GA055S | GA055S NULL QFP | GA055S.pdf |