창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4742AE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4728AP-1N4764AP,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 9옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 9.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4742AE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N4742AE, 1N4742AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | BSS64LT1G | TRANS NPN 80V 0.1A SOT-23 | BSS64LT1G.pdf | |
![]() | HKQ0603S3N9C-T | 3.9nH Unshielded Multilayer Inductor 210mA 480 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603S3N9C-T.pdf | |
![]() | CMHZ5260B | CMHZ5260B CENTRAL SMD or Through Hole | CMHZ5260B.pdf | |
![]() | LFA20-2A1E824MT | LFA20-2A1E824MT MITSUBSHI 0805-820K | LFA20-2A1E824MT.pdf | |
![]() | MNM8245-2 | MNM8245-2 PAN SOP | MNM8245-2.pdf | |
![]() | AP1001BSQ | AP1001BSQ APEC SMD or Through Hole | AP1001BSQ.pdf | |
![]() | UC7805(A) | UC7805(A) NS TO-3 | UC7805(A).pdf | |
![]() | RT0603DRE07 34KL | RT0603DRE07 34KL ORIGINAL SMD or Through Hole | RT0603DRE07 34KL.pdf | |
![]() | XC68HC98A260 | XC68HC98A260 ORIGINAL SMD or Through Hole | XC68HC98A260.pdf | |
![]() | S000227 | S000227 SMK SOP | S000227.pdf | |
![]() | MABA-007532-CF18A0TR | MABA-007532-CF18A0TR ORIGINAL SMD | MABA-007532-CF18A0TR.pdf | |
![]() | LTC1772ETS8 | LTC1772ETS8 LTC LTC1772ETS8 | LTC1772ETS8.pdf |