창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N4688UR-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N4678UR-1N4717UR-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N4688UR-1 | |
관련 링크 | 1N4688, 1N4688UR-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
416F27135IKR | 27.12MHz ±30ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27135IKR.pdf | ||
Y0106200R000V0L | RES 200 OHM 1.5W 0.005% AXIAL | Y0106200R000V0L.pdf | ||
HA11223W | HA11223W HIT DIP-16 | HA11223W.pdf | ||
U1ZB390TE12L | U1ZB390TE12L HOSHIBA 1808 | U1ZB390TE12L.pdf | ||
IRKJ71/08 | IRKJ71/08 IR SMD or Through Hole | IRKJ71/08.pdf | ||
81C27-R-AB3-E-R | 81C27-R-AB3-E-R UTC SOT89-3 | 81C27-R-AB3-E-R.pdf | ||
SZ1V229M51080 | SZ1V229M51080 SAMWHA SMD or Through Hole | SZ1V229M51080.pdf | ||
INA102SG | INA102SG TI AUCDIP | INA102SG.pdf | ||
XPT6302N | XPT6302N XPT QFN | XPT6302N.pdf | ||
78R05/KA78R05CTU | 78R05/KA78R05CTU FSC TO-220F | 78R05/KA78R05CTU.pdf | ||
MCP202-I/SN | MCP202-I/SN MICROCHIP DIP SMD | MCP202-I/SN.pdf | ||
SCM-5LHNL | SCM-5LHNL MINI SMD or Through Hole | SCM-5LHNL.pdf |