홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 다이오드, 정류기 - 단일 » 1N3889R

GeneSiC Semiconductor 1N3889R

1N3889R
제조업체 부품 번호
1N3889R
제조업 자
제품 카테고리
다이오드, 정류기 - 단일
간단한 설명
DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
데이터 시트 다운로드
다운로드
1N3889R 가격 및 조달

가능 수량

10648 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 3,242.00440
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 1N3889R 재고가 있습니다. 우리는 GeneSiC Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 GeneSiC Semiconductor 전자 부품 전문. 1N3889R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 1N3889R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
1N3889R 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
1N3889R 매개 변수
내부 부품 번호EIS-1N3889R
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서1N3889 thru 1N3893R
DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드, 정류기 - 단일
제조업체GeneSiC Semiconductor
계열-
포장벌크
부품 현황유효
다이오드 유형표준, 역극성
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)50V
전류 -평균 정류(Io)12A
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If1.4V @ 12A
속도고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io)
역회복 시간(trr)200ns
전류 - 역누설 @ Vr25µA @ 50V
정전 용량 @ Vr, F-
실장 유형섀시, 스터드 실장
패키지/케이스DO-203AA, DO-4, 스터드
공급 장치 패키지DO-4
작동 온도 - 접합-65°C ~ 150°C
표준 포장 5
다른 이름1242-1108
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)1N3889R
관련 링크1N38, 1N3889R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통
1N3889R 의 관련 제품
47pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) CL05C470JB5NNND.pdf
0.027µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) VJ2225Y273KBBAT4X.pdf
ADXL346BCC7-HOIZ AD QFN ADXL346BCC7-HOIZ.pdf
223K 25V ORIGINAL SMD or Through Hole 223K 25V.pdf
TQ4-L-12VDC ORIGINAL DIP TQ4-L-12VDC.pdf
MX25L4205ZNI-12G MX QFN MX25L4205ZNI-12G.pdf
BTS409L INFINEON TO-263 BTS409L.pdf
C10-H3.5R100 MITSUMI SMD or Through Hole C10-H3.5R100.pdf
LXFB26N50 ORIGINAL TO-220 LXFB26N50.pdf
MC33460SQ-30ATR ON SOT-343 MC33460SQ-30ATR.pdf
LC898098Y-UB3I SANYO STOCK LC898098Y-UB3I.pdf
LA7245 SANYO ZIP LA7245.pdf