창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3345RB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 140V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 114V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3345RB | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3345RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F4801XCTT | 48MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F4801XCTT.pdf | |
![]() | RG1608V-162-P-T1 | RES SMD 1.6KOHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608V-162-P-T1.pdf | |
![]() | RCP1206W160RGEC | RES SMD 160 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W160RGEC.pdf | |
![]() | 0603CG160J500NT | 0603CG160J500NT FENGHUA SMD or Through Hole | 0603CG160J500NT.pdf | |
![]() | 74AUP1GU04GW-G | 74AUP1GU04GW-G PHI SOT353 | 74AUP1GU04GW-G.pdf | |
![]() | 57C256F-45 | 57C256F-45 WSI DIP | 57C256F-45.pdf | |
![]() | 342-0265-A | 342-0265-A CATALYST SMD or Through Hole | 342-0265-A.pdf | |
![]() | UR137Z132F | UR137Z132F ADI PLCC | UR137Z132F.pdf | |
![]() | ISL84782 | ISL84782 Intersil TQFN-16TSSOP-16 | ISL84782.pdf | |
![]() | M378T2953EZ3-CD5 | M378T2953EZ3-CD5 SAMSUNG SMD or Through Hole | M378T2953EZ3-CD5.pdf | |
![]() | KM68U40CLTGI-10LT | KM68U40CLTGI-10LT SAMSUNG SMD or Through Hole | KM68U40CLTGI-10LT.pdf | |
![]() | MB90V460CR | MB90V460CR FME SMD or Through Hole | MB90V460CR.pdf |