창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3327B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 39V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 29.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3327B | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3327B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1602BC-11-33E-27.000000D | OSC XO 3.3V 27MHZ OE | SIT1602BC-11-33E-27.000000D.pdf | |
![]() | HKQ0603U0N8C-T | 0.8nH Unshielded Multilayer Inductor 900mA 60 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603U0N8C-T.pdf | |
![]() | ERJ-14NF7871U | RES SMD 7.87K OHM 1% 1/2W 1210 | ERJ-14NF7871U.pdf | |
![]() | TEESVB1V105M8R | TEESVB1V105M8R NEC SMD or Through Hole | TEESVB1V105M8R.pdf | |
![]() | LMV801MT | LMV801MT NS TSSOP-16 | LMV801MT.pdf | |
![]() | TROUS-4900 | TROUS-4900 ST BGA | TROUS-4900.pdf | |
![]() | UDN5810A-E | UDN5810A-E ALLEGRO DIP | UDN5810A-E.pdf | |
![]() | ADSP-21062KSZ-133 | ADSP-21062KSZ-133 AD QFP | ADSP-21062KSZ-133.pdf | |
![]() | LCMXO2280E-4M132C | LCMXO2280E-4M132C LATTICE SMD or Through Hole | LCMXO2280E-4M132C.pdf | |
![]() | GB040-50P-H15 | GB040-50P-H15 LG BTB | GB040-50P-H15.pdf | |
![]() | M5M51008ARV-85VLL | M5M51008ARV-85VLL MIT TSSOP-32 | M5M51008ARV-85VLL.pdf | |
![]() | RY-12W | RY-12W TAKAMISAWA SMD or Through Hole | RY-12W.pdf |