창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3321A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.6옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 18.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3321A | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3321A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | IPI60R190C6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262 | IPI60R190C6XKSA1.pdf | |
![]() | CP00209R100KE66 | RES 9.1 OHM 20W 10% AXIAL | CP00209R100KE66.pdf | |
![]() | B43406S6128A1 | B43406S6128A1 EPCOS SMD or Through Hole | B43406S6128A1.pdf | |
![]() | SIOS123XD-01 | SIOS123XD-01 PHI QFP-44P | SIOS123XD-01.pdf | |
![]() | TA75S558F(TE85R) | TA75S558F(TE85R) TOSHIBA SMD or Through Hole | TA75S558F(TE85R).pdf | |
![]() | CS5506 | CS5506 CS SMD | CS5506.pdf | |
![]() | 2SB1029 | 2SB1029 HITACHI SOT-89 | 2SB1029.pdf | |
![]() | LMBTH69LT1G | LMBTH69LT1G LRC SOT-23 | LMBTH69LT1G.pdf | |
![]() | SC16C554BIBM | SC16C554BIBM NXP 64-LQFP | SC16C554BIBM.pdf | |
![]() | GF06WB202M | GF06WB202M TOCOS SMD or Through Hole | GF06WB202M.pdf | |
![]() | 1SV290B(TH8.F) | 1SV290B(TH8.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SV290B(TH8.F).pdf |