창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI60R190C6XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R190C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 151W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI60R190C6 IPI60R190C6-ND SP000660618 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI60R190C6XKSA1 | |
관련 링크 | IPI60R190, IPI60R190C6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 6-1755074-9 | RELAY TIME DELAY | 6-1755074-9.pdf | |
![]() | RG1608N-3321-B-T5 | RES SMD 3.32KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608N-3321-B-T5.pdf | |
![]() | HA-4741-5 | HA-4741-5 HA DIP | HA-4741-5.pdf | |
![]() | 0603R473J39000H | 0603R473J39000H ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603R473J39000H.pdf | |
![]() | 17534 10 B1 | 17534 10 B1 Volex PLUG-SVT 6 7 18AWG | 17534 10 B1.pdf | |
![]() | 3960250000 | 3960250000 WICKMANN SMD or Through Hole | 3960250000.pdf | |
![]() | APW7079-33DI-TRG | APW7079-33DI-TRG ANPEC SOT89-3 | APW7079-33DI-TRG.pdf | |
![]() | SS33-E3 | SS33-E3 VISHAY DO-214AB | SS33-E3.pdf | |
![]() | 250V501-100Ω | 250V501-100Ω ORIGINAL SMD or Through Hole | 250V501-100Ω.pdf | |
![]() | NJM12902M(TE1) | NJM12902M(TE1) JRC PBF | NJM12902M(TE1).pdf | |
![]() | 62T-11 | 62T-11 JAE DIP-5 | 62T-11.pdf |