창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPI60R190C6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R190C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 151W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPI60R190C6 IPI60R190C6-ND SP000660618 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPI60R190C6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPI60R190, IPI60R190C6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MAL205047682E3 | 6800µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can - 5 Lead 45 mOhm @ 100Hz 15000 Hrs @ 85°C | MAL205047682E3.pdf | |
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![]() | RL1220S-300-F | RES SMD 30 OHM 1% 1/3W 0805 | RL1220S-300-F.pdf | |
![]() | PHP00603E2610BBT1 | RES SMD 261 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E2610BBT1.pdf | |
![]() | AVR-M1005C100MTABB | AVR-M1005C100MTABB TDK SMD or Through Hole | AVR-M1005C100MTABB.pdf | |
![]() | 74HC573PW+112 | 74HC573PW+112 NXP SMD | 74HC573PW+112.pdf | |
![]() | SM04B-PBVSS-TB(LF)(SN) | SM04B-PBVSS-TB(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | SM04B-PBVSS-TB(LF)(SN).pdf | |
![]() | BZD27C51P-GS08 | BZD27C51P-GS08 VISHAY SMD or Through Hole | BZD27C51P-GS08.pdf | |
![]() | PGA2004AP | PGA2004AP BB DIP | PGA2004AP.pdf | |
![]() | STN790A-E(585B) | STN790A-E(585B) ST SMD or Through Hole | STN790A-E(585B).pdf | |
![]() | U7615 | U7615 ORIGINAL QFN | U7615.pdf |