창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N3314B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 1.4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 11.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N3314B | |
| 관련 링크 | 1N33, 1N3314B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SMBJ6.0A-M3/52 | TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO-215AA | SMBJ6.0A-M3/52.pdf | |
![]() | 24C02BN-SU18 | 24C02BN-SU18 ATMEL SOP-8 | 24C02BN-SU18.pdf | |
![]() | PT4301/3 | PT4301/3 CRpowtech QFN-16 | PT4301/3.pdf | |
![]() | 41HFR10 | 41HFR10 IR SMD or Through Hole | 41HFR10.pdf | |
![]() | HC1H828M25050 | HC1H828M25050 samwha DIP-2 | HC1H828M25050.pdf | |
![]() | 551E | 551E SOT- c | 551E.pdf | |
![]() | KT27CX322 | KT27CX322 ORIGINAL DIP | KT27CX322.pdf | |
![]() | MT48LC16M32S2F5-6 | MT48LC16M32S2F5-6 MICRONTECHNOLOGYINC ORIGINAL | MT48LC16M32S2F5-6.pdf | |
![]() | MX29G256FLTI-90Q | MX29G256FLTI-90Q MXIC SMD or Through Hole | MX29G256FLTI-90Q.pdf | |
![]() | TSM0A103H4053RZ | TSM0A103H4053RZ THINKING SMD or Through Hole | TSM0A103H4053RZ.pdf | |
![]() | RD12UM-T1 12V | RD12UM-T1 12V NEC SOD0603 | RD12UM-T1 12V.pdf | |
![]() | B1188-GP | B1188-GP ORIGINAL SOT89 | B1188-GP.pdf |