창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N3312RB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N3305-50B, 1N4549B - 56B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 50W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.1옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 9.9V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 10A | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N3312RB | |
관련 링크 | 1N33, 1N3312RB 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | TS111F11CDT | 11.0592MHz ±10ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS111F11CDT.pdf | |
![]() | MC74LS165 | MC74LS165 MOT SMD | MC74LS165.pdf | |
![]() | VER-F/31-F001 | VER-F/31-F001 NS DIP-40 | VER-F/31-F001.pdf | |
![]() | HI1172JCB | HI1172JCB SONY SOP16 | HI1172JCB.pdf | |
![]() | M5M4V4800TP-8 | M5M4V4800TP-8 MEMORY SMD | M5M4V4800TP-8.pdf | |
![]() | DS21Q43TN | DS21Q43TN DALLAS QFP | DS21Q43TN.pdf | |
![]() | VCPO2088-XSE | VCPO2088-XSE MICRONAS DIP | VCPO2088-XSE.pdf | |
![]() | ME2100B30M3G | ME2100B30M3G MICRONE SOT-23 | ME2100B30M3G.pdf | |
![]() | NHQT151B285T10 | NHQT151B285T10 PHOENIXCONTACT 4532- | NHQT151B285T10.pdf | |
![]() | XCV4062XL-BG432CFN | XCV4062XL-BG432CFN XILINX SMD or Through Hole | XCV4062XL-BG432CFN.pdf | |
![]() | LP3984IMF-1.5/NOPB | LP3984IMF-1.5/NOPB ORIGINAL DIPSOP | LP3984IMF-1.5/NOPB.pdf | |
![]() | FSDM0565RSYDTU | FSDM0565RSYDTU FSC Call | FSDM0565RSYDTU.pdf |