창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1EZ120D10E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1EZ110D5-1EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 710 옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 91.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1EZ120D10E3/TR8 | |
관련 링크 | 1EZ120D10, 1EZ120D10E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 416F27125IAT | 27.12MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27125IAT.pdf | |
![]() | 25GQ045SCV | 25GQ045SCV InternationalRectifier SMD or Through Hole | 25GQ045SCV.pdf | |
![]() | TLSE1008 | TLSE1008 TOSHIBA 16 L) 0.8(W) 0.6(H) | TLSE1008.pdf | |
![]() | RM2105B3GF | RM2105B3GF RAYDIUM SOP | RM2105B3GF.pdf | |
![]() | ADG1202BRJZ | ADG1202BRJZ AD SOT23-6 | ADG1202BRJZ.pdf | |
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![]() | NJM3414VA | NJM3414VA JRC SSOP | NJM3414VA.pdf | |
![]() | BLY91C | BLY91C PH SOT | BLY91C.pdf | |
![]() | IXGH10N60U1 | IXGH10N60U1 IXYS TO | IXGH10N60U1.pdf | |
![]() | SVI3205B | SVI3205B MAT SMD or Through Hole | SVI3205B.pdf | |
![]() | LNK2V822MSEGBB | LNK2V822MSEGBB NICHICON DIP | LNK2V822MSEGBB.pdf | |
![]() | RJ23S3AEOBT | RJ23S3AEOBT SHARP DIP | RJ23S3AEOBT.pdf |