창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1808HC102KATM-CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 1808HC102KATM-CT | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 1808HC102KATM-CT | |
| 관련 링크 | 1808HC102, 1808HC102KATM-CT 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 160105K400Q-F | 1µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Metallized Radial 1.260" L x 0.512" W (32.00mm x 13.00mm) | 160105K400Q-F.pdf | |
![]() | 416F480X2ILT | 48MHz ±15ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F480X2ILT.pdf | |
![]() | SIT9002AI-38H25DT | 1MHz ~ 220MHz CML MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 51mA | SIT9002AI-38H25DT.pdf | |
![]() | IXFN30N120P | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B | IXFN30N120P.pdf | |
![]() | LM119H/883C | LM119H/883C NS CAN | LM119H/883C.pdf | |
![]() | 6181B102S500CNT | 6181B102S500CNT FH SMD | 6181B102S500CNT.pdf | |
![]() | UC32825DW | UC32825DW TI SOP16 | UC32825DW.pdf | |
![]() | MIC29032WU | MIC29032WU MIC TO-263-5 | MIC29032WU.pdf | |
![]() | UPD4217400G3-70 | UPD4217400G3-70 NEC SMD or Through Hole | UPD4217400G3-70.pdf | |
![]() | TOL-52CUBDCTA-L1C | TOL-52CUBDCTA-L1C OASIS ROHS | TOL-52CUBDCTA-L1C.pdf | |
![]() | HBWS2012-18N | HBWS2012-18N ORIGINAL SMD or Through Hole | HBWS2012-18N.pdf | |
![]() | GT-48350-D-3 | GT-48350-D-3 GALILEO TQFP | GT-48350-D-3.pdf |