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TS1220600 ORIGINAL TO-252

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TS122CP CLARE SOP8

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TS122E CPClare DIP-8

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TS122EP IXYS SMD or Through Hole

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TS122ES CLARE SMD8

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TS122ES150 CLARE SMD8

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TS122ESTR CLARE SOP DIP

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12.288MHz ±10ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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12.288MHz ±10ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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12.288MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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12.288MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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12.288MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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12.288MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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12.288MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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12.288MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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12.288MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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12.288MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US

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TS122L CLARE DIP

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TS122LE IXYS SMD or Through Hole

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TS122LEP IXYS SMD or Through Hole

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TS122LES IXYS SMD or Through Hole