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간단한 설명：
24.576MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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25MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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27MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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28.63636MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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3.579545MHz ±20ppm 수정 18pF 180옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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3.6864MHz ±20ppm 수정 18pF 180옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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30MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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4MHz ±20ppm 수정 18pF 180옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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4.194304MHz ±20ppm 수정 18pF 180옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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4.433619MHz ±20ppm 수정 18pF 180옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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간단한 설명：
4.5MHz ±20ppm 수정 18pF 180옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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간단한 설명：
4.9152MHz ±20ppm 수정 18pF 180옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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5MHz ±20ppm 수정 18pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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6MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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6.144MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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6.7458MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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7.3728MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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8MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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9.216MHz ±20ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)

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9.8304MHz ±20ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead)