창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXTP2012GTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXTP2012GTA | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 Bond Wire Chg 14/Jun/2016 | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1462 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 5.5A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 500mA, 5A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 20nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 120MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | ZXTP2012GTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXTP2012GTA | |
| 관련 링크 | ZXTP20, ZXTP2012GTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | SR211A470KAR | 47pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR211A470KAR.pdf | |
![]() | ERJ-T06J182V | RES SMD 1.8K OHM 5% 1/4W 0805 | ERJ-T06J182V.pdf | |
![]() | DV200-2805D | DV200-2805D AELTA SMD or Through Hole | DV200-2805D.pdf | |
![]() | AD210AN/JN | AD210AN/JN AD SMD or Through Hole | AD210AN/JN.pdf | |
![]() | A1362LKTTN-T | A1362LKTTN-T ALLEGRO SIP4 | A1362LKTTN-T.pdf | |
![]() | G6B-1114P-US-SV-24 | G6B-1114P-US-SV-24 OMRON SMD or Through Hole | G6B-1114P-US-SV-24.pdf | |
![]() | GL512P10FFCR1 | GL512P10FFCR1 ORIGINAL BGA | GL512P10FFCR1.pdf | |
![]() | 9942HBL | 9942HBL ORIGINAL SMD or Through Hole | 9942HBL.pdf | |
![]() | BU7625 | BU7625 ROHM DIPSOP | BU7625.pdf | |
![]() | WL08JTL50N | WL08JTL50N Seielect SMD | WL08JTL50N.pdf | |
![]() | TCR5SB26 | TCR5SB26 TOSHIBA SMD or Through Hole | TCR5SB26.pdf |