창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXTN26020DMFTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXTN26020DMF | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1.5A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 20V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 290mV @ 40mA, 2A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 290 @ 500mA, 2V | |
전력 - 최대 | 1W | |
주파수 - 트랜지션 | 260MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-DFN1411(1.4x1.1) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ZXTN26020DMFTADI | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXTN26020DMFTA | |
관련 링크 | ZXTN2602, ZXTN26020DMFTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
SIT1532AC-J5-DCC-32.768E | 32.768kHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.2 V ~ 3.63 V 1.3µA | SIT1532AC-J5-DCC-32.768E.pdf | ||
MP6-2W-1R-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-2W-1R-00.pdf | ||
ELJ-RF1N2DFB | 1.2nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 60 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | ELJ-RF1N2DFB.pdf | ||
RG1608N-4870-D-T5 | RES SMD 487 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-4870-D-T5.pdf | ||
MCU08050D2051BP100 | RES SMD 2.05K OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D2051BP100.pdf | ||
467680330A | 467680330A MICROCHIP SOP | 467680330A.pdf | ||
GRM319R60J106MA01 | GRM319R60J106MA01 murata SMD or Through Hole | GRM319R60J106MA01.pdf | ||
M3450964FP | M3450964FP MIT SSOP24 | M3450964FP.pdf | ||
ISL6307CRZ6-PHASE | ISL6307CRZ6-PHASE INTERSIL QFN-48 | ISL6307CRZ6-PHASE.pdf | ||
PST591B-T | PST591B-T MITSUMI TO92 | PST591B-T.pdf | ||
LA M676-Q2T1-1-0-20-R18-Z | LA M676-Q2T1-1-0-20-R18-Z Osram SMD or Through Hole | LA M676-Q2T1-1-0-20-R18-Z.pdf | ||
PME285MB5150M | PME285MB5150M RIF SMD or Through Hole | PME285MB5150M.pdf |