창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZXTN2011GTA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZXTN2011GTA | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 Bond Wire Chg 14/Jun/2016 | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1462 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 6A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 220mV @ 500mA, 5A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 130MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | ZXTN2011GTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZXTN2011GTA | |
| 관련 링크 | ZXTN20, ZXTN2011GTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | RCWL0603R160JQEA | RES SMD 0.16 OHM 5% 1/10W 0603 | RCWL0603R160JQEA.pdf | |
![]() | HSDL-1100#017 | HSDL-1100#017 AGILENT SMD or Through Hole | HSDL-1100#017.pdf | |
![]() | DS5000-8-32 | DS5000-8-32 DALLAS DIP | DS5000-8-32.pdf | |
![]() | 7256ATC144-12 | 7256ATC144-12 SPANSION QFP | 7256ATC144-12.pdf | |
![]() | 103944-3 | 103944-3 AMP/TYCO AMP | 103944-3.pdf | |
![]() | MAX5774UTK+ | MAX5774UTK+ MAXIM QFN-68 | MAX5774UTK+.pdf | |
![]() | MTD23N03HDL | MTD23N03HDL ON SOT-252 | MTD23N03HDL.pdf | |
![]() | C1608JB2A682K | C1608JB2A682K TDK SMD or Through Hole | C1608JB2A682K.pdf | |
![]() | 100123DMQB | 100123DMQB NS CDIP | 100123DMQB.pdf | |
![]() | HA1630Q01TELL-E | HA1630Q01TELL-E RENESAS TSSOP14 | HA1630Q01TELL-E.pdf | |
![]() | 2N5612 | 2N5612 ST/ON TO-66 | 2N5612.pdf |