창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXTN2011GTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXTN2011GTA | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 Bond Wire Chg 14/Jun/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1462 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 6A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 220mV @ 500mA, 5A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V | |
전력 - 최대 | 3W | |
주파수 - 트랜지션 | 130MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | ZXTN2011GTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXTN2011GTA | |
관련 링크 | ZXTN20, ZXTN2011GTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D8R2BXCAJ | 8.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D8R2BXCAJ.pdf | |
![]() | VJ1825A333KBAAT4X | 0.033µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A333KBAAT4X.pdf | |
![]() | MCH155A1R3CK | 1.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | MCH155A1R3CK.pdf | |
![]() | 1741CP1D | 1741CP1D MOT DIP-8 | 1741CP1D.pdf | |
![]() | TLC2201CPDC04 | TLC2201CPDC04 TI SMD or Through Hole | TLC2201CPDC04.pdf | |
![]() | MC-7950-E1 | MC-7950-E1 NEC SMD or Through Hole | MC-7950-E1.pdf | |
![]() | 74HC1G32GW/C2,125 | 74HC1G32GW/C2,125 NXP SOT353 | 74HC1G32GW/C2,125.pdf | |
![]() | ADA493-1YCPZ-R2 | ADA493-1YCPZ-R2 ORIGINAL QFN | ADA493-1YCPZ-R2.pdf | |
![]() | W68744-01 | W68744-01 MIT SMD or Through Hole | W68744-01.pdf | |
![]() | LM358DGOS | LM358DGOS ON AN | LM358DGOS.pdf | |
![]() | TDA9803. | TDA9803. PHI DIP | TDA9803..pdf |